igbt静态参数测试设备

 IGBT功率半导体器件测试难点

 IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时IGBT芯片属于电力电子芯片,需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高。这给IGBT测试带来了一定的困难:

 

1、IGBT是多端口器件,需要多种仪表协同测试;2、IGBT的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试;

 

3、IGBT的电流输出能力很强,测试时需要快速注入1000A级电流,并完成压降的采样;

 

4、lGBT耐压较高,一般从几千到一万伏不等,需要测量仪器具备高压输出和高压下nA级漏电流测试的能力;

 

5、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显，严重时容易造成器件烧毁,需要提供us级电流脉冲信号减少器件自加热效应;

 

6、输入输出电容对器件的开关性能影响很大,不同电压下器件等效结电容不同,C-V测试十分有必要。

 

 

 

普赛斯功率器件静态测试解决方案

 

   普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；

 

 

IGBT测试系统图

 

 

 

    普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

 

 

 

“双高”系统优势

 

    高电压、大电流

 

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(zui 大可扩展至10kV)

 

    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

 

    高精度测量

 

    nA级漏电流, μΩ级导通电阻

 

    0.1%精度测量

 

    模块化配置

 

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

 

    测试效率高

 

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

 

    支持国标全指标的一键测试

 

    扩展性好

 

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

 

igbt静态参数测试设备特点和优势：

 

单台Z大3500V输出；

 

单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；

 

15us的超快电流上升沿；

 

同步测量；

 

国标全指标的自动化测试；

 

可定制夹具；

 

nA级电流和uΩ级电阻测量；