N沟道增强型MOSFET TDM3428B | |
一般描述 | 一般特征 |
该TDM3428B采用先进的沟槽技术 | RDS(ON)<17.5mΩ@ VGS = 4.5V |
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 | RDS(ON)<10.8mΩ@ VGS =10V |
装置是适合用作负载开关或在PWM应用 | 高功率和电流处理能力 |
应用: | 可提供无铅产品 |
PWM应用 | 表面贴装封装 |
负载开关 | TO-252-3 |
电源管理 |
|
公司基本资料信息
|
N沟道增强型MOSFET TDM3428B | |
一般描述 | 一般特征 |
该TDM3428B采用先进的沟槽技术 | RDS(ON)<17.5mΩ@ VGS = 4.5V |
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 | RDS(ON)<10.8mΩ@ VGS =10V |
装置是适合用作负载开关或在PWM应用 | 高功率和电流处理能力 |
应用: | 可提供无铅产品 |
PWM应用 | 表面贴装封装 |
负载开关 | TO-252-3 |
电源管理 |