P沟道增强型MOSFET TDM3415 | |
一般描述 | 一般特征 |
该TDM3415采用先进的沟槽技术 | ◆-30V / -17.6A |
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 | ◆RDS(ON)<15mΩ@ VGS = -4.5V |
装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆RDS(ON)<9mΩ@ VGS =-10V |
应用。 | ◆可靠耐用 |
◆HBMESD能力水平典型值为8KV | |
◆可提供无铅产品 SOP-8封装 |
|
公司基本资料信息
|
P沟道增强型MOSFET TDM3415 | |
一般描述 | 一般特征 |
该TDM3415采用先进的沟槽技术 | ◆-30V / -17.6A |
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 | ◆RDS(ON)<15mΩ@ VGS = -4.5V |
装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆RDS(ON)<9mΩ@ VGS =-10V |
应用。 | ◆可靠耐用 |
◆HBMESD能力水平典型值为8KV | |
◆可提供无铅产品 SOP-8封装 |