N沟道增强型MOSFET TDM3420 | |
一般描述 | 一般特征 |
该TDM3420采用先进的沟槽技术 | ◆RDS(ON)<32mΩ@ VGS = 4.5V |
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。这 | ◆RDS(ON)<23mΩ@ VGS =10V |
装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆高功率和电流处理能力 |
应用。 | ◆可提供无铅产品 |
◆表面贴装封装 | |
SOT23‐6 top view |
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公司基本资料信息
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N沟道增强型MOSFET TDM3420 | |
一般描述 | 一般特征 |
该TDM3420采用先进的沟槽技术 | ◆RDS(ON)<32mΩ@ VGS = 4.5V |
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。这 | ◆RDS(ON)<23mΩ@ VGS =10V |
装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆高功率和电流处理能力 |
应用。 | ◆可提供无铅产品 |
◆表面贴装封装 | |
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