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| TDM3412 双N沟道 MOS管 | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3412采用先进的沟槽技术 | ◆频道1 |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 | ◆RDS（ON）<17.5mΩ@ VGS= 4.5V |
| 这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 | ◆RDS（ON）<10.8mΩ@ VGS = 10V |
| ◆频道2 | |
| ◆RDS（ON）<16mΩ@ VGS= 4.5V | |
| ◆RDS（ON）<@为10mΩVGS =10V | |
| ◆高功率和电流处理能力 | |
| ◆可提供无铅产品 | |
| 应用：PWM应用、负载开关、电源管理等 | ◆表面贴装封装 |
