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LP6252B6F 高效率2.7A同步升压转换器 LP6252B6F 高效率2.7A同步升压转换器LP6252B6F-同步升压IC2.2-5.5输入电压（V）：Adj，2.5-5.5输入OVP（V）：1000KS开关电流限制 2019-03-29 16:23  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N道沟MOS管 TDM3408 N沟道增强型MOSFETTDM3408描述TDM3408采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应 2019-03-25 16:53  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM3736 N沟道增强型MOSFETTDM3736描述TDM3736采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应 2019-03-25 16:53  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM3738 N沟道增强型MOSFETTDM3738描述TDM3738采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应 2019-03-25 16:53  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM3740 N沟道增强型MOSFETTDM3740描述TDM3740采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应 2019-03-20 17:11  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM3742 N沟道增强型MOSFETTDM3742描述TDM3742采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应 2019-03-20 17:11  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM3744 N沟道增强型MOSFETTDM3744描述TDM3744采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应 2019-03-20 17:11  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM3760 N沟道增强型MOSFETTDM3760描述TDM3760采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应 2019-03-20 17:11  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM3902 N沟道增强型MOSFETTDM3902描述TDM3902采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应 2019-03-20 17:11  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM31058 N沟道增强型MOSFETTDM31058一般描述一般特征该TDM31058采用先进的沟槽技术RDS（ON）18.2mΩ@VGS=4.5V提供优异的RDS（ON）和 2019-03-15 16:45  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM3428B N沟道增强型MOSFETTDM3428B一般描述一般特征该TDM3428B采用先进的沟槽技术RDS（ON）17.5mΩ@VGS=4.5V提供优异的RDS（ON）和 2019-03-15 16:45  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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P沟道增强型MOSFET TDM3415 P沟道增强型MOSFETTDM3415一般描述一般特征该TDM3415采用先进的沟槽技术◆-30V/-17.6A提供优异的RDS（ON）和低门电荷。这个◆RDS 2019-03-15 16:45  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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P沟道增强型MOSFET TDM3205 P沟道增强型MOSFETTDM3205一般描述一般特征该TDM3205采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）9.9mΩ@VGS=-1.8V提供优异的RDS（ON）和 2019-03-15 14:32  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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双N沟道增强型MOSFET TDM3484 双N沟道增强型MOSFETTDM3484一般描述一般特征该TDM3484采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）18.5mΩ@VGS=4.5V提供优异的RDS（ON） 2019-03-15 14:31  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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N沟道增强型MOSFET TDM3420 N沟道增强型MOSFETTDM3420一般描述一般特征该TDM3420采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）32mΩ@VGS=4.5V提供优异的RDS（ON）和低 2019-03-15 14:31  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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TDM3458 N通沟MOS管 DFN56 TDM3458N通沟MOS管DFN56一般描述一般特征该TDM3458采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）8.7mΩ@VGS=4.5V提供优异的RDS（ON）和低 2019-03-14 15:47  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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TDM3564 N通道MOS管 TDM3564N通道MOS管一般描述一般特征该TDM3564采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）8.5mΩ@VGS=4.5V提供优异的RDS（ON）和低门电荷 2019-03-14 15:47  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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TMD3546 N通道 MOS管 TMD3546N通道MOS管一般描述一般特征该TDM3546采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）13.6mΩ@VGS=4.5V提供优异的RDS（ON）和低门电 2019-03-14 15:47  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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TDM3544 N沟道MOS管 TDM3544N沟道MOS管描述一般特征该TDM3544采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）8.0mΩ@VGS=4.5V提供优异的RDS（ON）和低门电荷。◆ 2019-03-14 15:47  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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泰德TDM3412 双N沟道 MOS管 TDM3412双N沟道MOS管一般描述一般特征该TDM3412采用先进的沟槽技术◆频道1提供优异的RDS（ON）和低门电荷。◆RDS（ON）17.5m&Ome 2019-03-14 15:47  [广东深圳市]    深圳市佰骏工业产品设计有限公司  [未核实]

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